美光科技于周六举行日本西部工厂扩建奠基仪式，该扩建项目投资1.5万亿日元（折合93亿美元），专注量产高端存储芯片。
这家总部位于爱达荷州博伊西市的企业选址广岛建厂，生产高带宽内存（HBM）等核心芯片，此类产品是英伟达等企业AI处理器的关键配套器件，新产线计划2028年夏季前后对外供货。日本经济产业省最高将拨付5000亿日元补贴，分摊项目开支。
本次扩建是美光全球产能扩张布局的一部分，用以应对AI行业激增的芯片需求。美光正在博伊西建设两座尖端晶圆厂，并于今年1月在纽约州锡拉丘兹市郊举行千亿美金生产基地奠基仪式，以此兑现扩大美国本土DRAM芯片产能的承诺。
美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在有日本中央及地方政府官员出席的奠基仪式上表示：“全球首片用于AI核心存储技术的高带宽内存晶圆，正是在广岛工厂诞生。当美国的开拓魄力结合日本精湛工艺，产出的绝非折中产品，而是全球顶尖水准的芯片。”
日本这座扩建工厂，将优化AI应用与自动驾驶芯片的功耗与传输性能。截至目前，日本政府已为美光配套研发补贴合计约7750亿日元。
自2021年起，日本投入数百亿美元扶持半导体与人工智能产业，力图在这一事关国家安全的核心赛道夺回行业主导地位。上月，日本首相高市早苗发布产业路线图，目标至2041年3月，撬动公私合计101.6万亿日元资金投入芯片与人工智能领域，但并未拆分政府财政出资额度。
美光日本分部代表董事野坂浩太表示：“广岛工厂的核心优势，是能够快速向客户交付前沿高性能芯片。在此研发制造下一代芯片，和美光整体战略高度契合。”
2013年，美光收购破产的日本DRAM厂商尔必达存储，由此接手广岛这座工厂。
日本掌握大量高端芯片原材料、生产设备龙头企业，但成品芯片制造领域已基本丧失领先地位。野坂浩太透露，广岛工厂当前约八成芯片原材料均由日本本土供应。
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